小米采用氮化镓（GaN）技术的充电器Type-C 65W，使得氮化镓材料大获市场关注。在此次大获市场关注之前，氮化镓更常与碳化硅等第三代半导体材料共同出现。而自去年以来，碳化硅就已吸引了一波资本投入。

      资料显示，与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。其中，碳化硅（SiC）目前发展最成熟，也最接近大规模商业化。与氮化镓相似，碳化硅作为制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一，正广泛应用于电力电子领域中，成为实现新能源汽车最佳性能的理想选择，其在新能源车上的应用主要是功率控制单元、逆变器、DC-DC转换器、车载充电器等。目前，世界各国对碳化硅的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划，一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。

      A股上市公司中，扬杰科技目前在外进行碳化硅芯片流片，可批量供应650V、1200V碳化硅JBS器件，并在积极研发碳化硅MOSFET器件。露笑科技去年11月与中科钢研、国宏中宇签署碳化硅项目战略合作协议，将为国宏中宇主导的碳化硅产业化项目定制约200台碳化硅长晶炉，设备总采购金额约3亿元。楚江新材全资子公司顶立科技从事SiC单晶中的高纯C粉的研制，目前已能实现小批量生产，且关键技术指标满足制备第三代半导体——碳化硅单晶的要求。

郑重声明：本网站文章中所涉及的股票信息仅供投资者参考，不构成具体操作建议，据此操作盈亏自负，风险自担。